《#7刂Zo》天江药业三唑

evkyitwm

天江药业三唑「罔芷」ctmyao.com」技术层面，相比于 FinFET，GAA 通过纳米片堆叠结构强化电流控制能力，并有效抑制漏电，使 2nm 在相同功耗下带来 10? 15?性能提升，或在性能不变的情况下实现 25? 30?功耗下降。「罔芷」ctmyao.com」天江药业三唑「罔芷」ctmyao.com」